在电力电子系统持续向高功率密度演进的市场趋势下，UOE正式推出基于先进SSO10T封装的N沟道增强型MOSFET UP1R5N08LH。该产品以80V耐压、300A持续电流、1.3mΩ超低导通电阻等突破性参数，重新定义了中高压大电流场景下的功率器件性能标准，为工业变频、新能源逆变、高功率家电等应用提供更优解决方案。

一、SSO10T封装：高密度系统的终极载体

作为对标英飞凌PG-LHDSO-10的标准化封装，SSO10T通过结构性创新实现三大核心优势：

1. 功率密度革命性突破

紧凑的10引脚设计（封装尺寸5.48×5.15mm）相比传统TO-263封装面积缩减42%，单位面积电流承载能力提升至58A/mm²。配合1.0mm引脚间距，可支持PCB布局优化实现系统级空间压缩。

2. 热管理性能跃升

专利铜夹片互联技术使RθJC（结到壳热阻）低至0.4℃/W，较D²PAK封装降低60%。搭配1in²焊盘时，RθJA（结到环境热阻）仅57℃/W，支持375W持续功率耗散。实测数据显示，在50A负载下壳温升幅比竞品低18℃。

3. 智能制造适配性

全表面贴装设计兼容高速SMT产线，0.42mm引脚厚度确保焊接良率＞99.97%。特有的"阶梯式"引脚结构（公差±0.05mm）有效解决大电流器件回流焊时的热应力变形问题。

二、UP1R5N08LH核心技术突破

基于UOE第三代Trench Cell工艺，该器件在SSO10T封装内实现了多项性能突破：

1. 极低导通损耗

10V驱动时RDS(on)典型值1.3mΩ（max 1.5mΩ），比同类产品降低22%

6V驱动仍保持2.2mΩ导通阻抗，适合低栅压应用场景

50A负载下传导损耗仅3.25W，系统效率提升0.8%

2. 动态性能优化

开关速度组合td(on)+tr=81ns，td(off)+tf=150ns

栅电荷总量Qg=141nC，驱动功耗降低35%

反向恢复时间trr=54ns，有效抑制桥臂串扰

3. 极端工况可靠性

单脉冲雪崩能量950mJ（VDD=50V）

支持1200A脉冲电流（300μs脉宽）

结温范围-55~175℃，通过3000次温度循环认证

三、对标竞品的关键优势

与同封装国际品牌产品相比，UP1R5N08LH展现出显著优势：

四、典型应用场景

1. 新能源逆变系统

在光伏/储能逆变器的DC-AC环节，双器件并联可支持20kW功率等级。1.3mΩ导通阻抗使逆变效率突破99%，搭配950mJ雪崩能力完美应对光伏阵列的电压浪涌。

2. 工业变频驱动

支持150kW电机驱动的三相桥臂设计，300A持续电流满足重载启动需求。优化的Qg特性使开关频率可提升至50kHz，助力变频器小型化。

3. 超高清显示电源

在8K电视的LED背光驱动中，57ns的下降时间可精准控制PWM调光。1.3V体二极管压降降低续流损耗，整机待机功耗＜0.5W。

4. 快充桩功率模块

支持100kW充电桩的LLC谐振拓扑，1200A脉冲能力轻松应对电池组的瞬态需求。175℃结温保证-40℃~85℃全温域稳定工作。

五、配套技术支持

UOE提供完整的应用生态系统：

仿真模型：SPICE/PLECS双平台器件模型

参考设计：100kW三相逆变器拓扑方案（效率98.7%）

测试报告：EMI/THERMAL/SOA全套认证数据

失效分析：专属FAE团队提供失效模式库

UP1R5N08LH现已实现量产，采用13寸料盘包装（4000pcs/盘），配合自动贴片设备可达98CPH贴装速度。欢迎联系UOE区域技术支持获取样品及评估板，开启高密度电源设计新纪元。