数据中心和企业服务器领域的趋势是为每个主机提供更高的功率。同时，不断上升的能源成本和环境问题使得SMPS效率优化成为服务器和数据中心设计的整个负载范围内的关键要求。这使得高功率和成本效益的相结合变成一项具有挑战性的任务。

在PFC阶段和服务器应用中使用的硬切换拓扑中，UOE推荐其600V-700V CoolMOS。这些MOSFET系列提供最低的实际损耗，这是在高端服务器SMPS快速切换频率操作所必需的。

紧凑的SMD封装，如TO-247/252/263和TOLL，这些SJ MOSFETs在空间使用和功率密度方面提供了好处。

与600V CoolMOS的补充是CoolSiC肖特基二极管。600V CoolMOS在价格和性能之间提供了一个很好的补充。这在PFC和HV DC-DC阶段都很有价值，在这些阶段中，低内阻和低损耗是重要的因素，特别是在高开关频率操作和突出负载效率要求的情况下。

由于高功率（2-6 KW及以上）需要超高效率（96-98%的峰值）和高功率密度，UOE的CoolGaN  600 V系列与PFC控制提供了领先的高效率和功率密度。使用600V CoolMOS设备与有源桥接电路，以最低的成本满足客户的要求。运营费用（OPEX）和成本支出（CAPEX）都通过简化的拓扑结构而降低，使得服务器PSU中的功率密度增加了一倍。

在低输出电压和高输出电流的应用中，进一步的效率提高是持续降低电阻性。这可以通过在同步整流阶段使用UOE的低压MOSFET系列来实现。优化后的低开关频率和高系统可靠性使得UOE的低压产品更具竞争力。